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BCD工艺中，N阱电容（Mos capacitor on nwell），剖面图如下，栅与N阱之间是栅氧化层，即电容器的介质层。多晶硅与N阱覆盖的部分就是电容器的面积。电容值随栅电压变化而变化。埋层会减轻N阱与下面P衬底形成的寄生电容。
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想问的问题是：
反向过程中，发现N阱电容周围包围P型tap,而且Ptap与N阱同时接地，栅接电源，为什么这样接呢？
这样会不会增大PN结导通的可能性？
周围为什么是Ptap，不能是Ntap吗？